Universal Pulsgeneratoren

RUP3


Die Hochspannungspulsgeneratoren der Serie RUP3 bestehen aus einem Hochspannungsnetzteil mit daran angeschlossenen Halbleiterschaltmodul. Diese Topologie erlaubt völlig frei wählbare Pulsbreiten und Tastverhältnisse bis 100% (DC-Betrieb). Der Schutz gegen Überstrom und Kurzschlüsse in der Last erfolgt durch Schutzwiderstände. Aus diesem Grund sind die RUP3-Pulsgeneratoren hauptsächlich für hochohmige Lasten bei kleineren bis mittleren Leistungen geeignet. Grundsätzlich sind die Pulsgeneratoren der Reihe RUP3 sehr schnell; besonders bei den Geräten mit einem Ausgangswiderstand von 50-100 Ohm sind Anstiegszeiten von 50 ns typisch.



Die herausragenden Eigenschaften der RUP3 Serie sind:

  • Echter Rechteckpuls mit aktivem Abschalten bei den Modellen mit „A“ in der Bezeichnung
  • Sehr schnelle Anstiegszeiten
  • Pulslänge fast völlig frei einstellbar
  • Tastverhältnis bis 100%
  • Individuelle Skalierbarkeit der Spannung
  • Überstrom und Kurzschluss-Schutzwiderstände

Allgemeine Technische Daten:

  • Hochspannungen von -25kV bis +25kV
  • Typische Anstiegs-Zeit 50ns – 100ns
  • Frequenzen bis zu 10kHz

Spezial Varianten:

  • Bipolare Ausführung
  • Integrierte, einstellbare Bias-Spannung 0 bis -200V
  • Spezialversion mit Wechselspannungsbias bis ±200V
  • Frequenzen bis 20kHz
  • Kurzschlusspulsströme bis 100A möglich
  • Ausführungen mit 2 Ausgängen, die phasenverschoben angesteuert werden können
  • Spezielle Hochleistungsversion bis 5kW
  • OEM-Versionen für mittlere Leistungen <25W

Anwendungen

  1. Spannungsversorgung für Ionenquellen
  2. Plasmaimmersionsanwendungen
  3. Isolationstests an kapazitiven Lasten

Downloads RUP3 Serie

PDF Datenblatt RUP3-3A deutsch

PDF RUP3 Bipolar (RUP3-7bip) deutsch

PDF RUP3 Dual (RUP3-6ax2) deutsch

PDF RUP3 Ionenquelle (RUP3-5ion) deutsch


Weitere Varianten finden Sie im Downloadbereich >>

Referenzen der GBS Elektronik GmbH

Forschungszentrum Dresden-Rossendorf | TU Berlin | Universität Frankfurt | Gesellschaft für Schwerionenforschung, Darmstadt | Universität Augsburg | Institut für Oberflächenmodifizierung, Leipzig | Forschungszentrum Jülich | Europäische Kommission, Luxemburg | Institute for Reference Materials and Measurements, Geel, Belgien | Joint Research Centre Ispra, Italien | Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Brasilien | CNEA, Argentinien | National Accelerator Center, Kapstadt, Südafrika | Samsung, Süd Korea | University Sydney, Australien